新加坡「氮化鎵半導體技術轉化創新中心」（NSTIC（GaN））正式啟用，將於2026年中開始生產先進晶片

一、依據新加坡聯合早報本（2025）年6月27日報導，由「新加坡科技研究局」（A*STAR）、「新加坡國防科技研究院」（DSO National Laboratories），以及「新加坡南洋理工大學」（NTU）共同成立的「新加坡氮化鎵半導體技術轉化創新中心」（National Semiconductor Translation and Innovation Centre for Gallium Nitride，簡稱NSTIC（GaN））於6月26日舉行開幕儀式，為星國首個能同時生產6英寸及8英寸氮化鎵（GaN）晶片的設施。
二、 NSTIC（GaN）位於「緯壹科技城」（one-north）Innovis大廈，為星國政府在2023年為期5年撥款1.23億星幣（0.97億美元）所支持的項目。該中心具備先進「節點處理」（node processing）技術，能夠支持低於0.1微米至超過100 GHz的頻段，目前與8個夥伴合作使用技術，並將從2026年中開始在星國提供商業生產代工服務。
三、氮化鎵為最具代表性的第3代半導體材料之一，在5G及6G通訊、自動駕駛車輛，甚至雷達等領域廣泛被應用，能讓設備更小巧、快速且節能。
四、新加坡能源與科技暨人力部長陳詩龍於NSTIC（GaN）開幕儀式致辭時指出，該中心將協助星國企業克服轉化技術時所面對高昂資本門檻的挑戰，星國中小企業及新創公司皆可使用該中心所提供的服務，加速產品的開發及驗證。該中心將協助推動未來的通訊需求，同時加強星國的韌性及全球競爭力，並使新加坡成為全球少數能夠生產先進半導體的樞紐。
五、 NSTIC（GaN）執行總監黃玉榮表示，新加坡掌握生產氮化鎵的技術將能協助星國企業提升韌性，降低全球供應鏈干擾所帶來的影響。市場對氮化鎵技術的需求日益擴大，據估計，全球射頻氮化鎵設備的市場規模，將在2022年至2028年翻倍至超過27億美元（約34億星幣）。